韩国国立蔚山科学技术院Shin, Hyeon Suk团队报导了Ni(111)外表外延成长单晶六方氮化硼多层膜。相关研讨成果宣布在2022年6月1日出书的《天然》。

  人们现已成长了大面积的二维（2D）资料单晶单分子膜，如石墨烯、六方氮化硼（hBN）和过渡金属二元化合物。hBN被认为是依据2D资料的场效应晶体管（FET）的“抱负”电介质，有或许扩展摩尔定律。尽管厚度大于单层的hBN更适合用作2D半导体的基底，但仍需证明高度均匀的单晶多层hBN成长。

  该文报导了用化学气相堆积（CVD）办法外延成长晶圆级单晶三层hBN。发现均匀摆放的hBN岛在前期成长在单晶Ni（111）上，终究兼并成单晶膜。横截面透射电镜（TEM）依据成果得出，经过硼在镍中的溶解，在单晶hBN膜和镍基体之间（冷却过程中）形成了Ni23B6中间层。hBN和Ni23B6以及Ni23B6和Ni之间有外延联系。

  研讨还发现，hBN膜作为保护层，在氢的催化演化过程中坚持完好，标明接连的单晶hBN。这种转移到SiO2（300nm）/Si晶片上的hBN起到了电介质层的效果，以削减MoS2 FET中SiO2衬底的电子掺杂。依据成果得出，大面积的高质量单晶多层hBN，这将为使其成为2D半导体都会存在的基底拓荒新的途径。

  Nature：《天然》，创刊于1869年。隶属于施普林格天然出书集团，最新IF：42.778