近期，中科院合肥研讨院智能所陈池来课题组李山博士等获得重要技能打破，团队霸占了高均一性玻璃微孔阵列制造、玻璃细密回流、玻璃微孔金属高细密填充等技能难题，开展了一种面向3D先进封装的玻璃金属穿孔工艺，可完成高频芯片、先进MEMS传感器的低传输损耗、高真空晶圆级封装。

  近年来，芯片与电子科技类产品中高功能、高可靠性、高密度集成的激烈需求催生了3D封装技能并使其成为集成电路开展的首要推进力气之一。传统的平面化2D封装现已没办法满意高密度、轻量化、小型化的激烈需求。玻璃金属穿孔（TGV）是一种使用于圆片级真空封装范畴的新式纵向互连技能，为完成芯片-芯片之间间隔最短、距离最小的互联供给了一种新式技能途径，具有优秀的电学、热学、力学功能，在射频芯片、高端MEMS传感器、高密度系统集成等范畴具有共同优势，是下一代5G、6G高频芯片3D封装的首选之一。

  为此，团队针对玻璃金属穿孔现有工艺问题，结合中科院合肥研讨院和中国科学技能大学微纳研讨与制造中心的前期研讨根底及渠道优势，提出一种新式玻璃金属穿孔晶圆制造计划，开发出了高均一性、高细密、深邃宽比的玻璃金属穿孔晶圆，具有超低漏率、超低信号损耗的优势，满意环形谐振器、波导缝隙天线G高频芯片，以及新式MEMS陀螺仪、加速度计3D封装需求。经检测，团队研制出的玻璃金属穿孔晶圆各项首要参数均与世界尖端玻璃厂商肖特、康宁和泰库尼思科等适当，部分参数优于世界水平，在半导体芯片3D先进封装、射频芯片封装、MEMS传感器封装，以及新式MEMS传感器（MEMS质谱、MEMS搬迁谱）规划制造、新式玻璃基微流控芯片制造等多个范畴具有宽广使用远景。（记者 汪永安）

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